# Infineon fabrique des dispositifs SiC sur wafers de 300 mm _Publié le 10 novembre 2026 — https://ip73.fr/2026/11/10/infineon-fabrique-des-dispositifs-sic-sur-wafers-de-300-mm/_ Infineon Technologies a réussi à fabriquer des dispositifs semi-conducteurs fonctionnels en carbure de silicium (SiC) sur des wafers de 300 mm dans son site de Villach, en Autriche. Ce jalon technique prouve la possibilité de produire des composants de puissance sur ce format de wafer plus grand, ouvrant ainsi une perspective de diminution des coûts unitaires de fabrication. La taille de 300 mm permet, selon les estimations de l'entreprise, d'intégrer environ 2,3 fois plus de puces par wafer comparé à un wafer de 200 mm. Ce saut d'échelle, réalisé en utilisant des équipements initialement conçus pour la production de semi-conducteurs en silicium, répond à un goulot d'étranglement récurrent dans la fabrication de substrats de haute qualité pour le SiC. Parallèlement à cette démonstration de dispositifs à Villach, Infineon a également prouvé la faisabilité de sa technologie de séparation de wafers par « Cold Split » sur des matériaux SiC de 300 mm, et ce, depuis son site de Dresde en Allemagne. Cette méthode basée sur le laser vise à minimiser la perte de matière par rapport au sciage conventionnel des wafers. ## Les enjeux de l'architecture de puissance haute tension Le passage à des wafers plus grands n'implique pas automatiquement une baisse des coûts par puce. Les économies réelles dépendront de facteurs multiples, comme la qualité intrinsèque du substrat, la densité de défauts cristallins, le taux de rendement des puces utilisables, et l'utilisation des équipements. Néanmoins, l'impact de ce matériau est bien plus large que la seule économie de volume. Le SiC est désigné par Infineon comme un « matériau semi-conducteur central pour une conversion d'énergie efficace ». Sa capacité à gérer des tensions et des courants élevés, tout en supportant des températures supérieures à celles du silicium, le rend idéal pour les applications de puissance. On observe une demande croissante dans le secteur des centres de données d'intelligence artificielle, où ces composants sont pertinents pour les étages de conversion haute tension. Ces systèmes, notamment ceux basés sur une architecture de distribution DC à 800 V, sont cruciaux. Pour illustrer la différence, un besoin de puissance de 1 mégawatt nécessite environ 1 250 ampères à 800 V DC, contre près de 20 833 ampères si l'on opère en 48 V, sans compter les pertes de conversion. ## Les applications dans l'infrastructure IA Le SiC intervient dans les composants critiques des alimentations modernes, notamment les transformateurs statiques et les systèmes de protection électrique qui connectent l'énergie du réseau aux systèmes de distribution DC haute tension des usines. Infineon a déjà montré ce type d'application avec son accord avec Eaton pour un transformateur statique moyenne tension, utilisant le SiC. En plus du SiC, le groupe développe également des composants en nitrure de gallium (GaN) pour des applications de conversion de puissance à haute fréquence. Il est intéressant de noter que ces deux matériaux ne sont pas interchangeables ; le GaN excelle pour les conversions compactes et rapides près des charges, tandis que le SiC est plus adapté aux étapes de très haute tension et de très forte puissance. Le passage à ces architectures haute tension permet de réduire le courant pour une puissance donnée, ce qui simplifie l'isolation et les procédures de service, mais cela exige des dispositifs capables de supporter ces contraintes extrêmes. ## Quand la production industrielle sera-t-elle effective ? Bien que cette démonstration représente une prouesse technologique, il faut éviter de la confondre avec une annonce de production de masse. Jochen Hanebeck, PDG d'Infineon, a qualifié ce jalon de « renforcement de notre leadership dans les systèmes de puissance », mais l'entreprise n'a fourni aucune date concernant la montée en volume, le rendement ou la livraison commerciale. En effet, lorsqu'Infineon a annoncé sa première série de production de puces GaN sur des wafers de 300 mm, cela a nécessité près de deux ans, du premier prototype fonctionnel à la série. Si l'on extrapole ce délai pour le SiC, la mise en production de masse pourrait ne pas arriver avant 2029, bien qu'aucune projection officielle n'ait été donnée à ce jour. Infineon prévoit de présenter un wafer SiC traité de 300 mm lors du salon electronica en Munich, prévu du 10 au 13 novembre 2026, tout en poursuivant activement son programme de développement sur le SiC de 200 mm. On doit donc surveiller de près les prochaines étapes : l'optimisation des rendements au niveau du wafer, la validation de la fiabilité des dispositifs et les qualifications réelles de la part des clients pour que cette capacité de fabrication devienne une réalité commerciale. ## Sources - [Infineon Produces First 300mm SiC Power Devices](https://convergedigest.com/infineon-first-functional-300mm-sic-power-devices/), Converge Digest, 10 novembre 2026 - [Infineon: Erste Chips auf SiC-Wafern mit 300 mm prozessiert](https://www.computerbase.de/news/wirtschaft/infineon-erste-chips-auf-sic-wafern-mit-300-mm-prozessiert.100248/), ComputerBase, 9 novembre 2026 ## Crédits photo - Image en une : [A semiconductor wafer being removed from processing equipment](https://commons.wikimedia.org/wiki/File:A_semiconductor_wafer_being_removed_from_processing_equipment.jpg), par YouTube — Purdue Engineering, [CC BY 4.0](https://creativecommons.org/licenses/by/4.0), via Wikimedia Commons (recadrée) - Image dans l’article : [Semiconductor Wafer of Microelectronics](https://commons.wikimedia.org/wiki/File:Semiconductor_Wafer_of_Microelectronics.jpg), par DrHughManning, [CC BY-SA 4.0](https://creativecommons.org/licenses/by-sa/4.0), via Wikimedia Commons (recadrée)